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电磁炉中的IGBT,H20R1202和H20R1203的区别是什么?

电磁炉中的IGBT,H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流(A),如上述型号20表示额定工作电流为20A;后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压(V),如上述120表示最大关断电压为1200V;最后一位数字是设计序号。扩展资料:IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。

电磁炉中的IGBT,H20R1202和H20R1203的区别是什么?

区别就是设计序号不同,但是电流20A,耐压1200V,可以互换。IGBT是绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流(A),如上述型号20表示额定工作电流为20A;后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压(V),如上述120表示最大关断电压为1200V;最后一位数字是设计序号。扩展资料:H20R1202和H20R1203都是电流20A,耐压1200V的功率管,可以互换。尾号数字不同可能是元件的标记号。当然还可以用NCE25G120可以代替。但对于再次爆管,可能是其他原因引起,因为一些使用久后的变值元件会引起电路中电流的异常 ,导致 IGBT功率管爆管。所以要一一排除。首先查300 V 、5V与18V是否正常,以判断故障问题所在区域, 然后主要查以下几个元件:1.5UF,0.3UF电容是否变值,是否漏电。2.驱动输出的8550.805。3. LM339电压是否异常。参考资料:百度百科-电磁炉

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1、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。2、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。3、h20r1202是三极管的一种型号。